Способ подавления параметрической неустойчивости неоднородной плазмы и устройство для его реализации

28 Август, 2011
Реферат:

Изобретение относятся к области плазменной техники, в частности к способам нелинейного взаимодействия мощного электромагнитного излучения с плазмой и нагрева плазмы электромагнитным излучением, а также к устройствам для их осуществления.

Технический результат — увеличение эффективности нагрева плазмы. Для подавления абсолютной параметрической неустойчивости в плазме, которая возбуждается при нагреве плазмы СВЧ излучением в области резонанса на плазменной частоте, кроме СВЧ волны накачки в подводящий волновод подается дополнительная СВЧ волна, частота которой больше или меньше частоты СВЧ волны накачки на величину порядка 0.95+-1 МГц, а ее мощность равна 1+-10 мВт и составляет 5+-50% от уровня порога развития абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад, возбуждаемой СВЧ волной накачки, что приводит к подавлению абсолютной параметрической неустойчивости более чем на три порядка величины и, как следствие, к увеличению эффективности нагрева плазмы.

Схема

Схема

Устройство содержит объем с неоднородной плазмой в магнитном поле, подводящий и принимающий волноводы, генератор СВЧ волны накачки и генератор дополнительной СВЧ волны, узкополосный фильтр, СВЧ детектор, СВЧ тройник, ферритовые вентили. Выход генератора дополнительной СВЧ волны через ферритовый вентиль подключен к входу СВЧ тройника. Выход генератора СВЧ волны накачки через ферритовый вентиль подключен ко второму входу СВЧ тройника. Выход тройника соединен с подводящим волноводом, который подводит СВЧ излучение на двух частотах к плазменному объему.

Принимающий волновод через ферритовый вентиль подключен к узкополосному фильтру. Выход фильтра подключен к СВЧ детектору, позволяющему контролировать уровень параметрически рассеянного сигнала.

Формула изобретения:

1. Способ подавления абсолютной параметрической неустойчивости неоднородной плазмы, возбуждаемой СВЧ-волной накачки, отличающийся тем, что одновременно с СВЧ-волной накачки в подводящий волновод подают дополнительную СВЧ-волну, частота которой больше или меньше частоты СВЧ-волны накачки на величину порядка 0.95+-1 МГц, а ее мощность равна 1+-10 мВт и составляет 5+-50% от уровня порога образования абсолютной параметрической неустойчивости вынужденного рассеяния назад, возбуждаемой СВЧ-волной накачки.

2. Устройство для подавления параметрической неустойчивости неоднородной плазмы, включающее объем с неоднородной плазмой в магнитном поле, генератор СВЧ-волны накачки, подводящий и принимающий волноводы, узкополосный фильтр, СВЧ-детектор, СВЧ-тройник, ферритовые вентили, отличающееся тем, что содержит генератор дополнительной СВЧ-волны, соединенный с подводящим волноводом через СВЧ-тройник.

Опубликовано: 20.08.2011 Бюл. № 23

Адрес для переписки: 220072, г.Минск, пр. Независимости, 68, Государственное научное учреждение «Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси», зам. директора В.Ю. Плавскому

Автор(ы): Архипенко Валерий Иванович (BY), Симончик Леонид Васильевич (BY), Гусаков Евгений Зиновьевич (RU), Усаченок Максим Сергеевич (BY)

Патентообладатель(и): Государственное научное учреждение «Институт физики имени Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси» (BY)

Print Friendly, PDF & Email

Читайте так же..

Нет комментариев